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D1-28Z

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI

D1-28Z

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

ETC

知名厂家

Breakover Diodes

Breakover Diodes Applications ● Transient voltage protection ● High-voltage switches ● Crowbar ● Lasers ● Pulse generators Single Breakover Diode Breakover Diode Modules

IXYS

艾赛斯

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI VHB1-28T is Designed for Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. FEATURES: • Class C Operation • PG = 13 dB at 1.0 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System

ASI

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI

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ASI

D1-28Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    D1-28Z

  • 制造商

    ASI

  • 制造商全称

    ASI

  • 功能描述

    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

更新时间:2025-12-21 11:20:00
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SOP24
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BGA
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原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税

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