位置：首页 > IC中文资料第1680页 > IXBOD1-28RD
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXBOD1-28RD | Breakover Diodes Breakover Diodes Applications ● Transient voltage protection ● High-voltage switches ● Crowbar ● Lasers ● Pulse generators Single Breakover Diode Breakover Diode Modules | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXBOD1-28RD | 封装/外壳：径向 包装：管件 描述：IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V 电路保护 TVS - 混合技术 | IXYS 艾赛斯 | | |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI VHB1-28T is Designed for Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. FEATURES: • Class C Operation • PG = 13 dB at 1.0 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System | ASI | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：27.95 Kbytes Page：2 Pages | ASI | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：17.69 Kbytes Page：1 Pages | ASI | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：18.32 Kbytes Page：1 Pages | ASI | |
IXBOD1-28RD产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBOD1-28RD
- 功能描述
硅对称二端开关元件 1 Amps 2800V
- RoHS
否
- 制造商
Bourns 转折电流
- VBO
40 V 最大转折电流
- IBO
800 mA
- 不重复通态电流
额定重复关闭状态电压
- VDRM
25 V
- 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）
保持电流（Ih
- 最大值）
50 mA
- 开启状态电压
5 V 关闭状态电容
- CO
120 pF
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
DO-214AA
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
BOD |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
IXYS |
23+ |
模块 |
4200 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
DIP |
50945 |
只做全新原装进口现货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2023+ |
MODULE |
130 |
主打螺丝模块系列 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
MODULE |
1625 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
54230 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
||||
IXYS/Littelfuse |
24+ |
FP-case |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA |
11000 |
只做正品原装现货 |
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2020-4-10
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