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VHB1-28T

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI VHB1-28T is Designed for Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. FEATURES: • Class C Operation • PG = 13 dB at 1.0 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System

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Breakover Diodes

Breakover Diodes Applications ● Transient voltage protection ● High-voltage switches ● Crowbar ● Lasers ● Pulse generators Single Breakover Diode Breakover Diode Modules

IXYS

艾赛斯

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VHB1-28T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VHB1-28T

  • 制造商

    ASI

  • 制造商全称

    ASI

  • 功能描述

    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

更新时间:2025-9-25 17:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
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