| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno | ADV 爱德微 |   | ||
N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 10mΩ ID 100A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free | EXCELLIANCE 杰力科技 | | ||
N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：224.35 Kbytes Page：6 Pages | EXCELLIANCE 杰力科技 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：749.32 Kbytes Page：7 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
N-Channel MOSFET 文件：716 Kbytes Page：5 Pages | KEXIN 科信电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EXCELLIAN |
23+ |
TO220F |
28888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ROHM |
24+ |
SOT-563 |
364623 |
新进库存/原装 |
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ROHM |
1922+ |
SOT563 |
9600 |
原装公司现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
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ERIDE |
24+ |
SMD |
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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EMC/杰力 |
25+ |
TO-220 |
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ERIDE |
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ROHM |
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ERIDE |
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SMD |
20 |
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CJ/长电 |
24+ |
SOT-563 |
50000 |
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ROHM |
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SOT563 |
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2012-11-11
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