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位置：首页 > IC中文资料第88页 > VNK5N07

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VNK5N07FM

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNK5N07FM

fully autoprotected Power MOSFET

Description The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics® VIPower® M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh envir

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNK5N07FM

封装/外壳：SOT-82FM-3 包装：管件 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT82FM 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNK5N07FM

OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET

文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

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意法半导体

VND5N07

fully autoprotected Power MOSFET

Description The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics® VIPower® M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh envir

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07-E

fully autoprotected Power MOSFET

Description The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics® VIPower® M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh envir

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意法半导体

VND5N07FI

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

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VND5N07

OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET

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意法半导体

VNK5N07产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNK5N07

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 70V 5A SOT-82FM

  • RoHS

    是

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

  • 系列

    OMNIFET II™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    -

  • 类型

    高端/低端驱动器

  • 输入类型

    SPI

  • 输出数

    8

  • 导通状态电阻

    850 毫欧，1.6 欧姆 电流 -

  • 输出/通道

    205mA，410mA 电流 -

  • 峰值输出

    500mA，1A

  • 电源电压

    9 V ~ 16 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

  • 供应商设备封装

    PG-DSO-20-45

  • 包装

    带卷(TR)

VNK5N07供应商更多...

更新时间：2025-12-28 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
VNL5030J-E
ST(意法)
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ST(意法)
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