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VF30120C-E3

Trench MOS Schottky technology

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified

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封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VF30120C-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VF30120C-E3

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 30 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-20 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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