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VF30120C-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VF30120C-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.22 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.22 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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VISHAY |
24+ |
TO220 |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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ITO-220A |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
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原厂渠道,现货配单 |
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VISHAY |
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TO220 |
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Vishay General Semiconductor - |
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TO-220-3 全封装 隔离接片 |
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MICROCHIP |
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DIP |
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原装正品价格优势!欢迎询价QQ:385913858TEL:15 |
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VISHAY |
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TO220 |
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JINGDAO/晶导微 |
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2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
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2023-4-20VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
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H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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