位置：首页 > IC中文资料第12344页 > UPD5738T6N
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UPD5738T6N | CMOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Supply voltage : VDD = 1.5 to 3.6 V (2.8 V TYP.) • Switch control voltage : Vcont (H) = 1.5 to 3.6 V (2.8 V TYP.) : Vcont (L) = −0.2 to +0.4 V (0 V TYP.) • Low insertion loss Note : Lins1 = 0.5 dB TYP. @ f = 0.01 to 0.05 GHz : Lins2 = 0.8 dB TYP. @ f = 0.05 to 1.0 GHz : Lins3 = 1. | RENESAS 瑞萨 |   | |
UPD5738T6N | WIDE BAND DPDT SWITCH 文件：125.74 Kbytes Page：11 Pages | NEC 瑞萨 | | |
CMOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Supply voltage : VDD = 1.5 to 3.6 V (2.8 V TYP.) • Switch control voltage : Vcont (H) = 1.5 to 3.6 V (2.8 V TYP.) : Vcont (L) = −0.2 to +0.4 V (0 V TYP.) • Low insertion loss Note : Lins1 = 0.5 dB TYP. @ f = 0.01 to 0.05 GHz : Lins2 = 0.8 dB TYP. @ f = 0.05 to 1.0 GHz : Lins3 = 1. | RENESAS 瑞萨 | | ||
CMOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Supply voltage : VDD = 1.5 to 3.6 V (2.8 V TYP.) • Switch control voltage : Vcont (H) = 1.5 to 3.6 V (2.8 V TYP.) : Vcont (L) = −0.2 to +0.4 V (0 V TYP.) • Low insertion loss Note : Lins1 = 0.5 dB TYP. @ f = 0.01 to 0.05 GHz : Lins2 = 0.8 dB TYP. @ f = 0.05 to 1.0 GHz : Lins3 = 1. | RENESAS 瑞萨 | | ||
WIDE BAND DPDT SWITCH 文件：524.43 Kbytes Page：10 Pages | CEL California Eastern Labs | | ||
WIDE BAND DPDT SWITCH 文件：125.74 Kbytes Page：11 Pages | NEC 瑞萨 | | ||
WIDE BAND DPDT SWITCH 文件：125.74 Kbytes Page：11 Pages | NEC 瑞萨 | | ||
封装/外壳：6-XFDFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR） 描述：IC RF SWITCH DPDT 2.5GHZ 6TSON RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关 | CEL California Eastern Labs | | ||
包装：盒 描述：BOARD EVAL MMIC DPDT SW 开发板，套件，编程器 射频评估和开发套件，开发板 | CEL California Eastern Labs | | ||
WIDE BAND DPDT SWITCH 文件：255.04 Kbytes Page：13 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
UPD5738T6N产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPD5738T6N
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
WIDE BAND DPDT SWITCH
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
QFN |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
CEL |
22+ |
6TSON |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TSON-6 |
22055 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
24+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
4150 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
TSON6 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
QFN |
12000 |
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十 |
|||
RENESAS |
22+ |
QFN |
30000 |
只做原装正品 |
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UPD5738T6N参数引脚图相关
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2025-8-12UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌：Renesas 包装：50 封装：BGA240
2021-9-3UPD720114GA-YEU-AT
UPD720114GA-YEU-AT，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD720114GA-9EU-A
UPD720114GA-9EU-A，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器
描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路，它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管，该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路，使用双极晶体管。此外，驱动电流可以调节，在节电模式下使用外部电阻器。因此，该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低（顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和）ON电阻 R
2013-2-5UPD16813-整体式双H桥驱动器电路
描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。 •低电流消耗：国际直拨电话= 100 mA最大。 •降噪电路，操作时INC已关闭。 •小型表面贴装封装：16引脚SOP的塑
2013-2-5
DdatasheetPDF页码索引
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