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UPD5738T6N-EVAL-A

包装:盒 描述:BOARD EVAL MMIC DPDT SW 开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板

CEL

California Eastern Labs

CMOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Supply voltage : VDD = 1.5 to 3.6 V (2.8 V TYP.) • Switch control voltage : Vcont (H) = 1.5 to 3.6 V (2.8 V TYP.) : Vcont (L) = −0.2 to +0.4 V (0 V TYP.) • Low insertion loss Note : Lins1 = 0.5 dB TYP. @ f = 0.01 to 0.05 GHz : Lins2 = 0.8 dB TYP. @ f = 0.05 to 1.0 GHz : Lins3 = 1.

RENESAS

瑞萨

WIDE BAND DPDT SWITCH

文件:125.74 Kbytes Page:11 Pages

NEC

瑞萨

WIDE BAND DPDT SWITCH

文件:255.04 Kbytes Page:13 Pages

RENESAS

瑞萨

UPD5738T6N-EVAL-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPD5738T6N-EVAL-A

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    SILICON MMIC DPDT SWITCH EVAL BOARD, ROHS COMPLIANT - Boxed Product(Development Kits)

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    BOARD EVAL MMIC DPDT SW

更新时间:2025-8-17 15:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
QFN
8000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS/瑞萨
22+
QFN
12000
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十
RENESAS
22+
NA
500000
万三科技,秉承原装,购芯无忧
RENESAS
24+
QFN
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
20+
QFN
32970
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
2012+
QFN
14700
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
2023+
QFN
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
NEC
21+
SON6
1675
原装现货假一赔十
RENESAS
20+
QFN
765
进口原装现货,假一赔十
RENESAS
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货

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    2025-8-12
  • UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装

    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌:Renesas 包装:50 封装:BGA240

    2021-9-3
  • UPD720114GA-YEU-AT

    UPD720114GA-YEU-AT,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD720114GA-9EU-A

    UPD720114GA-9EU-A,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器

    描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路,它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管,该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路,使用双极晶体管。此外,驱动电流可以调节,在节电模式下使用外部电阻器。因此,该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低(顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和)ON电阻 R

    2013-2-5
  • UPD16813-整体式双H桥驱动器电路

    描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路,在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级,电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低(顶部和底部的ON电阻晶体管的总和)ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。 •低电流消耗:国际直拨电话= 100 mA最大。 •降噪电路,操作时INC已关闭。 •小型表面贴装封装:16引脚SOP的塑

    2013-2-5