型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TSM4N60CI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

600VN-ChannelPowerMOSFET

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TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC

600VN-ChannelPowerMOSFET

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TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC

600VN-ChannelPowerMOSFET

文件:369.36 Kbytes Page:11 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC

4Amps,600VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC4N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

4Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

4Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET

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ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司

ESTEK

N-ChannelPowerMOSFET

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ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

ARTSCHIP

N-CHANNELPOWERMOSFET

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ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

TSM4N60CI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TSM4N60CI

  • 功能描述

    MOSFET 800V 4A N Channel Power Mosfet

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-17 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TSC/台半
24+
NA/
6985
原厂直销,现货供应,账期支持!
TSC
10+
TO-252
1213
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TSC
24+
TO-251
5000
全新原装正品,现货销售
TSC
1715+
SOP
251156
只做原装正品现货假一赔十!
TS
25+23+
TO252
73101
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
TOSHIBA
25+
TO-TO-220F
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
TSC/台半
2223+
TO-252
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
TSC
24+
TO-251
12000
原装正品 假一罚十 可拆样
SLGO
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
taiwansemi
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单

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