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TSM4N60CI中文资料

厂家型号

TSM4N60CI

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1090.28Kbytes

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9

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

MOSFET 800V 4A N Channel Power Mosfet

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

TSM4N60CI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TSM4N60CI

  • 功能描述

    MOSFET 800V 4A N Channel Power Mosfet

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-17 11:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
JD/晶导
23+
SMC(DO-214AB)
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
TOSHIBA
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原厂原装正品
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24+
TO-251
5000
全新原装正品,现货销售
TSC
24+
TO-251
12000
原装正品 假一罚十 可拆样
TSC
24+
TO-251
25836
新到现货,只做全新原装正品