生命周期 Active
IHS 制造商 TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
包装说明 SMALL OUTLINE， R-PDSO-G8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 5.69
其他特性 ULTRA-LOW RESISTANCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 5.3 A
最大漏源导通电阻 0.06 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 20 A
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
