| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |||
isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |||
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE20P08J uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. General Features ● VDS = -20V,ID = -8A RDS(O | NCEPOWER 新洁能 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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原装正品 有挂就有货 |
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TS20P08G规格书下载地址
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2021-3-5TS21CHF
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2020-4-13TS1431-可调式精密并联稳压器
一般描述 该TS1431/1431A/1431B集成电路是三端可编程并联稳压二极管。这些单片集成电路电压基准作为一个低温度系数可编程齐纳是从VREF到36伏的两个外部电阻器。这些器件表现出宽工作电流范围1.0至100mA的一个典型的动态阻抗0.22Ω。这些引用的特点使它们成为许多优秀的齐纳二极管替代应用,如数字电压表,电源和运算放大器电路。该2.5volt可以方便地参考获得由5.0volt逻辑电源稳定的基准,并自TS1431/1431A/1431B作为分流调节器工作,它可以作为正面或负面的阶段参考。这个系列是提供3引脚TO- 92和SOT-23封装。
2013-3-14
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