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CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT

DuraTorsionInsertandPowerBits

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64Kx241.5MbAsynchronousSRAM

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GSI

GSI Technology

GSI

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

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更新时间:2025-7-13 23:34:01
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    2020-11-13
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    主要参数: 分立半导体产品 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压(Vgt)(最大值):1V 电流50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流(Igt)(最大值):35mA 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 工作温度:-40°C~150°C 安装类型:通孔 封装:TO-220-3

    2020-3-6