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IRF630FP中文资料

厂家型号

IRF630FP

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104.75Kbytes

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9

功能描述

N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET

MOSFET POWER MOSFET

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

IRF630FP数据手册规格书PDF详情

Description

This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY™ process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.

General features

■ Extremely high dv/dt capability

■ Very low intrinsic capacitances

■ Gate charge minimized

Applications

■ Switching application

IRF630FP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF630FP

  • 功能描述

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-8 10:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
05+
原厂原装
8051
只做全新原装真实现货供应
ST
17+
TO-220
6200
ST
24+/25+
TO220
5
原装正品现货库存价优
ST
24+
TO220ISOFULLPACK
8866
ST
25+
TO220F
200
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
IR
16+
TO-220
10000
全新原装现货
ST
25+
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