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SUB75P03-07-E3

P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET

P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUB75P03-07-E3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET

P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUB75P03-07-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUB75P03-07-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 75A 187W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-2 23:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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