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SUB75P03-07-E3中文资料

SUB75P03-07-E3
厂家型号

SUB75P03-07-E3
文件大小

864.37Kbytes
页面数量

8页
功能描述

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 75A 187W
数据手册

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生产厂商

VBSEMI

相近规格书

SUB75P03-07-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUB75P03-07-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 75A 187W

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SUB75P03-07-E3供应商...

更新时间：2025-10-4 14:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
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