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SUB75P03-07-E3中文资料
SUB75P03-07-E3数据手册规格书PDF详情
P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
FEATURES
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SUB75P03-07-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SUB75P03-07-E3
- 功能描述
MOSFET 30V 75A 187W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-5 17:27:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Vishay Siliconix 威世科技半导体
中文资料: 345006条
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起，我们将在几十年内不断发展壮大，达到今天的地位：世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器，Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施，它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位，可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销，我们产生了必要的组件，使发明者和创新者能够创造新一代产品，这些产品跨越许多领域：汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗
