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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STW80NE06-10 | N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique ”Single Feature Size™ ” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a rem | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STW80NE06-10 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 10mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | |
STW80NE06-10 | N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size™ ” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size™ ” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 10mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：998.2 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
STW80NE06-10产品属性
- 类型
描述
- 型号
STW80NE06-10
- 功能描述
MOSFET RO 511-STW80NF06
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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ST/意法 |
24+ |
TO247 |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
98747 |
||||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
23271 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ST |
25+23+ |
TO247 |
13793 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ST |
17+ |
TO-3P |
6200 |
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24+ |
N/A |
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ST |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-247 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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ST |
2447 |
TO247 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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原装正品 支持实单
2022-3-30STW6N95K5
製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝/外殼: TO-247-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V Id - C連續漏極電流: 9 A Rds On - 漏-源電阻: 1.25 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V， + 30 V Vgs th - 門源門限電壓 :
2021-6-9STW8Q14C
STW8Q14C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-15
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