型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STB80NE06-10

N-CHANNELENHANCEMENTMODESINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

N-CHANNELENHANCEMENTMODESINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:998.2 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

STB80NE06-10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB80NE06-10

  • 功能描述

    MOSFET RO 511-STB80NF06

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-21 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
1000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST/意法
25+
TO-263
54648
百分百原装现货 实单必成
ST
20+
TO-263
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST
1942+
TO-263
9852
只做原装正品现货或订货!假一赔十!
ST/意法
23+
SOP8
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ST
23+
TO-263
8795
ST
25+
TO-263
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
ST
22+
TO-263
35120
原装正品现货
24+
N/A
1800
ST
17+
TO-263
6200

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    2021-9-18