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DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique ”Single Feature Size™ ” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.0085 Ω
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS
■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
■ DC-DC CONVERTERS
■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT
STW80NE06-10产品属性
- 类型
描述
- 型号
STW80NE06-10
- 功能描述
MOSFET RO 511-STW80NF06
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
17+ |
TO-3P |
6200 |
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ST |
05+ |
TO-247 |
2380 |
原装进口 |
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ST |
25+ |
TO247 |
3650 |
自家优势产品,欢迎来电咨询! |
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24+ |
N/A |
1752 |
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ST |
24+ |
TO-247 |
1000 |
原装现货热卖 |
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ST |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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ST |
23+ |
TO-247 |
8795 |
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ST |
23+ |
TO-3P |
1200 |
专做原装正品,假一罚百! |
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ST |
25+23+ |
TO247 |
13793 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ST |
22+ |
TO247 |
35027 |
原装正品现货 |
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- PSD4135F3-C-90MI
- PSD4135F3V-12MI
- PSD4135G2V-12MI
- PSD4235G3V-12MI
- PSD835F3V-B-90MI
- PSD835G2-C-90MI
- PSD835G2V-C-90MI
- PSD8545V70MIT
- PSD913F1V-90MI
- PSD913G1-B-90MI
- PSD935F2V-B-90MI
- PSD935F3V-C-90MI
- PSD935G3V-B-90MI
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- STH8NA80
- STW6NC90
- STW6NC90Z
- STW8NA60
- STW8NB100
- STW8NC70Z
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P101
- P102
STMicroelectronics 意法半导体集团
意法半导体 (STMicroelectronics) 成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦和法国巴黎,是一家全球领先的半导体公司。意法半导体专注于设计、制造和销售各种半导体解决方案,产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、通信等领域。 意法半导体的产品包括微控制器、模拟集成电路、功率半导体、传感器等。公司拥有多个研发中心和生产基地,致力于技术创新和研发投入。意法半导体在全球范围内拥有广泛的客户群和合作伙伴,为客户提供高品质的产品和解决方案。 公司的使命是通过半导体技术推动智能化和可持续发展,助力客户取得成功。意法半导体不仅注重商业成功,还注重社会责任、环境保护和可持续经营。企业价值观包括创新、尊重