时间：2022-3-30 13:36:00
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.05 kV
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 17 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
系列: STW7N105K5
600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 17.5 ns
单位重量: 6 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-channel 1050 V, 1.4 廓 typ., 4 A MDmesh??K5 Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |   | ||
Ultra-low gate charge | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | ||
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| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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