STW7N105K5 ST/意法半导体 场效应管MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET

时间:2022-3-30 13:36:00

原装正品 支持实单

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1.05 kV

Id-连续漏极电流: 4 A

Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 110 W

通道模式: Enhancement

商标名: SuperMESH

封装: Tube

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 25 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

系列: STW7N105K5

600

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 43 ns

典型接通延迟时间: 17.5 ns

单位重量: 6 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-channel 1050 V, 1.4 廓 typ., 4 A MDmesh??K5 Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages

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Ultra-low gate charge

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2025-8-12 16:01:00
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