| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 100V, 55A, RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-251 & TO-252 package. | CET 华瑞 |   | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 55A, RDS(ON) = 16mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. | CET-MOS 华瑞 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 100V, 55A, RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-251 & TO-252 package. | CET 华瑞 | | ||
Fast Switching Speed 文件：49.16 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.7768 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CET/華瑞 |
24+ |
NA/ |
2530 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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CET |
25+ |
TO-251 |
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原装正品,假一罚十! |
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CET |
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SOT252 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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SOT-252 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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PHI |
24+ |
TSSOP48 |
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公司现货库存,支持实单 |
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CET |
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TO252 |
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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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CET |
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TO-252 |
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CET |
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绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
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CET |
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TO-252 |
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CET |
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2023-2-10STW6N95K5
製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝/外殼: TO-247-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V Id - C連續漏極電流: 9 A Rds On - 漏-源電阻: 1.25 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V， + 30 V Vgs th - 門源門限電壓 :
2021-6-9STW48N60DM2
STW48N60DM2,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-25
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