STW4N150场效应管(MOSFET

发布企业:深圳市众芯源半导体有限公司时间:2023-9-1 10:16:00

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STW4N150场效应管(MOSFET
STW4N150

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-247-3

描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.5kV 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7Ω@10V,2A

本公司现有原装现货库存5K,

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N-channel 1500 V - 5 廓 - 4 A - PowerMESH??Power MOSFET TO-220 - TO-220FH - TO-247 - TO-3PF

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-CHANNEL 1500V - 5 - 4A TO-220/TO-247 Very High Voltage PowerMESH MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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N-channel 1500V - 5廓 - 4A - TO-220/TO-247 Very high PowerMESH??Power MOSFET

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N-channel 1500 V, 5 廓, 4 A, PowerMESH??Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

DACO

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N-CHANNEL 1500V - 5-ohm - 4A TO-220FH Very High Voltage PowerMESH-TM MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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N-channel 1500V - 5廓 - 4A - TO-220FH Very high voltage PowerMESH??Power MOSFET

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N-Channel MOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode

IXYSIXYS Corporation

艾赛斯

2025-8-16 13:36:00
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