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Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 廓 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh??DM2 in a TO-247 package 文件：768.74 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
汽车级N沟道650 V、0.070 Ohm典型值、38 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmeshTM DM2 in TO-247 long leads package Features AEC-Q101 qualified Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100 avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Zener-protected Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fas | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
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TO247-3 |
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2023-2-10STW6N95K5
製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝/外殼: TO-247-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V Id - C連續漏極電流: 9 A Rds On - 漏-源電阻: 1.25 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V， + 30 V Vgs th - 門源門限電壓 :
2021-6-9STW48N60DM2
STW48N60DM2,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-25
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