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STW50N65DM2AG

Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 廓 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh??DM2 in a TO-247 package

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW50N65DM2AG

汽车级N沟道650 V、0.070 Ohm典型值、38 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmeshTM DM2 in TO-247 long leads package

Features  AEC-Q101 qualified  Fast-recovery body diode  Extremely low gate charge and input capacitance  Low on-resistance  100 avalanche tested  Extremely high dv/dt ruggedness  Zener-protected Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fas

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意法半导体

更新时间:2025-12-17 15:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝/外殼: TO-247-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V Id - C連續漏極電流: 9 A Rds On - 漏-源電阻: 1.25 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V Vgs th - 門源門限電壓 :

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