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位置：首页 > IC中文资料第1510页 > STW3N150

STW3N150价格

参考价格：￥11.4417

型号：STW3N150 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STW3N150多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STW3N150批发/采购报价，STW3N150行情走势销售排行榜，STW3N150报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STW3N150

N-channel1500V,2.5A,6Ωtyp.,PowerMESHPowerMOSFETsinTO-3PF,H2PAK-2,TO-220andTO247packages

Features •100avalanchetested •IntrinsiccapacitancesandQgminimized •Highspeedswitching •FullyisolatedTO-3PFplasticpackage,creepagedistancepathis5.4mm(typ.) Applications •Switchingapplications Description ThesePowerMOSFETsaredesignedusingtheSTMicroelectron

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STW3N150

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：347.91 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STW3N150

N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFET

文件：484.07 Kbytes Page：16 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STW3N150

N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF

文件：765.91 Kbytes Page：15 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
ISH3N150

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS:1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-ResistanceRDS(on):

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
3N150S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：306.9 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
HM3N150A

Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.

文件：364.03 Kbytes Page：6 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI
HM3N150F

N-channelEnhancedVDMOSFETs

文件：427.84 Kbytes Page：6 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI
IXTA3N150HV

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode

文件：155.58 Kbytes Page：4 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

STW3N150产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW3N150

  • 功能描述

    MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STW3N150供应商更多...

更新时间：2025-6-6 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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ST
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