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STW28N60DM2 | Extremely low gate charge and input capacitance 文件：1.11965 Mbytes Page：20 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |  |   |
N-channel 600 V, 0.155 typ., 21 A MDmeshTM DM2 Power MOSFET in a PowerFLATTM 8x8 HV package Features Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100 avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Zener-protected Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode seri | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | | |
Extremely low gate charge and input capacitance 文件：1.11965 Mbytes Page：20 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | | |
N-channel 600 V, 0.13 廓 typ., 21 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package 文件：717.97 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | | |
Extremely low gate charge and input capacitance 文件：1.11965 Mbytes Page：20 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | |
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