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STB28N60DM2

Extremely low gate charge and input capacitance

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意法半导体

N-channel 600 V, 0.155 typ., 21 A MDmeshTM DM2 Power MOSFET in a PowerFLATTM 8x8 HV package

Features  Fast-recovery body diode  Extremely low gate charge and input capacitance  Low on-resistance  100 avalanche tested  Extremely high dv/dt ruggedness  Zener-protected Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode seri

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N-channel 600 V, 0.13 廓 typ., 21 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

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更新时间:2025-8-6 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
24+
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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原厂原装,价格优势
ST/意法半导体
24+
SMD/SMT
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
ST/意法半导体
24+
SMD/SMT
16960
原装正品现货支持实单
ST(意法半导体)
24+
TO-263-3
8498
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

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    2021-9-18