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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

8Amps,100VoltsN-CHANNELPowerMOSFET

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CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

CHONGQING

TMOSPOWERFETs8AMPERES

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

TMOSPOWERFETs8AMPERES

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

100VN-ChannelMOSFET

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PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
更新时间:2024-6-22 20:00:01
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