| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR DESCRIPTION The Max220TM package is a new high volume power package exibiting the same footprint as the industry standard TO-220, but designed to accomodate much larger silicon chips, normally supplied in bigger packages. The increased die capacity makes the device ideal to reduce component count | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.9Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
900V N-Channel MOSFET 文件：412.57 Kbytes Page：8 Pages | PANJIT 強茂 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
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ST |
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2021-3-25STP65NF06 晶体管
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2021-3-12
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