型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 1.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Zener-Protected SuperMESH MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 5.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Zener-Protected SuperMESH MOSFET

文件:762.66 Kbytes Page:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Zener-Protected SuperMESH MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP2NK60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP2NK60

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600 Volt 1.4Amp 511-STP22NF03L

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-28 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
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