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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STP2NK60Z | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STP2NK60Z | Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08799 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STP2NK60Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
STP2NK60Z
- 功能描述
MOSFET N-Ch 600 Volt 1.4Amp 511-STP22NF03L
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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