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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STP2NK60Z | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STP2NK60Z | Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08799 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STP2NK60Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
STP2NK60Z
- 功能描述
MOSFET N-Ch 600 Volt 1.4Amp 511-STP22NF03L
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
10005 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ST |
1432 |
TO220 |
15 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
8215 |
原厂原装 |
|||
ST/意法 |
10+ |
TO-220 |
10005 |
||||
ST/意法 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
ST |
NEW |
TO-220 |
8795 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
ST/意法 |
21+ |
TO-220-3 |
5000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
|||
ST |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
ST |
25+23+ |
TO-220 |
16322 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
STP2NK60Z规格书下载地址
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