STD2NK60Z价格

参考价格:¥3.1463

型号:STD2NK60Z-1 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STD2NK60Z多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STD2NK60Z批发/采购报价,STD2NK60Z行情走势销售排行榜,STD2NK60Z报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STD2NK60Z

Zener-Protected SuperMESH MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD2NK60Z

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08799 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Zener-Protected SuperMESH MOSFET

文件:762.66 Kbytes Page:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Zener-Protected SuperMESH MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 5.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 1.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Zener-Protected SuperMESH MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD2NK60Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD2NK60Z

  • 功能描述

    MOSFET N Ch 600V 7.2Ohm 1.4A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-29 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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NA/
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ST
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