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STP180N4F6

N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package

Features  Very low on-resistance  Very low gate charge  High avalanche ruggedness  Low gate drive power loss Applications  Switching applications  Power tools Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gat

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意法半导体

STP180N4F6

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

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意法半导体

STP180N4F6

N沟道40 V、3.8 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET,TO-220封装

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意法半导体

N-channel 40 V, 2.5 m廓 typ., 80 A STripFET??F6 Power MOSFET in a DPAK package

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意法半导体

更新时间:2026-1-29 10:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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