STP20N95K5

发布企业:深圳市粤骏腾电子科技有限公司时间:2019-6-18 15:58:00

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STP20N95K5

型号:STP20N95K5

品牌:ST

参数说明:

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 950V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 330 毫欧 @ 9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 250W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220-3

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

N-channel 950 V, 0.275 廓, 17.5 A SuperMESH 5??Power MOSFET in D?PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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Ultra low gate charge

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2025-8-15 23:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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