型号：STP20N95K5
品牌：ST
参数说明：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 950V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 330 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 40nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 250W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
