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STL3N65M2

N-channel 650 V, 1.6 typ., 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 HV package

Features • Extremely low gate charge • Excellent output capacitance (Coss) profile • 100 avalanche tested • Zener-protected Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL3N65M2

N沟道650 V、1.6 Ohm典型值、2.3 A MDmesh M2功率MOSFET,PowerFLAT 3.3 x 3.3 HV封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-28 17:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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3.3x3.3-HV-8
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