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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Extremely low gate charge 文件：873.82 Kbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 26A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.125Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel 600 V, 0.108 廓 typ., 26 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFETs in a D2PAK package 文件：1.05938 Mbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages 文件：1.09215 Mbytes Page：20 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages 文件：1.09215 Mbytes Page：20 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
23+ |
原厂原封 |
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ST |
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8PowerVDFN |
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原厂渠道,现货配单 |
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ST/意法 |
22+ |
PDFN8*8 |
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ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST/意法 |
23+ |
QFN |
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ST |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST |
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2019-9-5
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