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芯片资料

参考价格：￥17.2453

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STF33N60M2	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.125Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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STL33N60M2	Extremelylowgatecharge 文件：873.82 Kbytes Page：15 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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更新时间：2025-8-5 9:27:00

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STB35N65DM2芯片是一种功能强大、性能稳定的高性能功率MOSFET，具有广泛的应用前景。它的高效率、可靠性和多种保护功能使得它成为各种功率应用中的理想选择，将为工业、汽车和消费电子等领域的发展提供强大的支持。
2023-11-24
STB12NM50ND
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2021-9-18