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STB33N60M2	N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF33N60M2	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 26A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.125Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
STF33N60M2	N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages 文件：1.09215 Mbytes Page：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STI33N60M2	N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages 文件：1.09215 Mbytes Page：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL33N60M2	Extremely low gate charge 文件：873.82 Kbytes Page：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更新时间：2025-9-29 22:59:00

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STB35N65DM2芯片是一种功能强大、性能稳定的高性能功率MOSFET，具有广泛的应用前景。它的高效率、可靠性和多种保护功能使得它成为各种功率应用中的理想选择，将为工业、汽车和消费电子等领域的发展提供强大的支持。
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2021-9-18