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STL200N45LF7

N-channel 45 V, 1.4 mΩ typ., 120 A STripFET ™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

Features  Among the lowest RDS(on) on the market  Excellent FoM (figure of merit)  Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  High avalanche ruggedness Applications  Switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-16 22:58:00
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