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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 65mΩ(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

Product Scout Automotive

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Discrete IGBTs

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矽莱克电子

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矽莱克半导体

STK23N06L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STK23N06L

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | SOT-82

更新时间:2025-11-22 23:00:02
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