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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP23N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=11.5A) •LowCiss:Ciss=1200pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Logicleveldrivetype •Des

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司

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RFP23N06LE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFP23N06LE

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

  • 制造商

    Harris Corporation

更新时间:2025-7-24 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
20002
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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100000
代理渠道/只做原装/可含税
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24+
8-HSON
8540
只做原装正品现货或订货假一赔十!
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2022+
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进口原装现货供应,原装 假一罚十
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RENESAS/瑞萨原装特价NP23N06YDG-E1-AY即刻询购立享优惠#长期有货
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瑞萨全系列在售,终端可出样品
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