型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

丝印代码:ADM75N06;N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM75N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with

ADV

爱德微

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 87A, RDS(ON) = 12mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

Fast Switching Speed

文件:65.68 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.27408 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STH75N06FI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STH75N06FI

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-218VAR

更新时间:2026-3-12 11:43:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ZX
2023+
TO220F
58000
进口原装,现货热卖
ST/意法
2517+
TO-251
8850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
IDT
25+
BGA
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
VBsemi
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
IDT
23+
BGA
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
原装
25+
TO-220
20300
原装特价75N06G即刻询购立享优惠#长期有货
IDT
1922+
BGAQFP
1680
只做进口原装!假一罚十!绝对有货!
IDT
2318+
BGA
6800
十年专业专注 优势渠道商正品保证公司现货
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
IDT
2447
BGA
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

STH75N06FI数据表相关新闻