STH210N75F6价格

参考价格:¥21.3929

型号:STH210N75F6-2 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有STH210N75F6多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STH210N75F6批发/采购报价,STH210N75F6行情走势销售排行榜,STH210N75F6报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 75V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.4mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switching applications

ISC

无锡固电

High avalanche ruggedness

文件:905.12 Kbytes Page:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 75 V, 3 m廓, 120 A TO-220 STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

文件:693.37 Kbytes Page:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STH210N75F6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STH210N75F6

  • 功能描述

    MOSFET N-ch 75V 0.0022 Ohm 180A STripFET VI

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-14 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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