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STH210N75F6-2中文资料
STH210N75F6-2数据手册规格书PDF详情
FEATURES
· Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS= 75V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 3.4mΩ(Max)@VGS= 10V
APPLICATIONS
· Switching applications
STH210N75F6-2产品属性
- 类型
描述
- 型号
STH210N75F6-2
- 功能描述
MOSFET N-ch 75V 0.0022 Ohm 180A STripFET VI
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
250 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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STMicroelectronics |
21+ |
H2Pak-2 |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
ST |
10+PBF |
TO-263 |
250 |
现货 |
|||
STM原厂目录 |
24+ |
H2PAK-2 |
28500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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ST |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ST |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST/意法 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
ST/意法 |
21+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
STH210N75F6-2 价格
参考价格:¥21.3929
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- MD3506G
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- MMBD1501A
- MMBD1501A-T1
- MMBD1503A-T1
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- SVO15HT503CS
- SVO15HT503ND
- SVO15HT503NS
- SVO15HT504CD
- SVO15HT504CS
- SVO15HT504ND
- SVO15HT504NS
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售