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Logic level drive

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道40 V、2.7 mOhm典型值、160 A STripFET F6功率MOSFET,H2PAK-2封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 40 V, 0.0021 mΩ typ., 120 A, STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a TO-220 package

Features • RDS(on) * Qg industry benchmark • Extremely low on-resistance RDS(on) • Logic level drive • High avalanche ruggedness • 100 avalanche tested Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STr

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-13 16:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
TO-263
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ST
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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