STGWT40V60DF价格

参考价格:¥15.5717

型号:STGWT40V60DF 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGWT40V60DF多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGWT40V60DF批发/采购报价,STGWT40V60DF行情走势销售排行榜,STGWT40V60DF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGWT40V60DF

Trench gate field-stop IGBT, V series

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGWT40V60DF

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

文件:1.83352 Mbytes Page:21 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGWT40V60DF

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGWT40V60DF

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

STMICROELECTRONICS

意法半导体

DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER

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UTC

友顺

40A 60V MOS Schottky Rectifier

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PFC

节能元件

40A 60V MOS Schottky Rectifier

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PFC

节能元件

40A 60V MOS Schottky Rectifier

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PFC

节能元件

40A 60V MOS Schottky Rectifier

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PFC

节能元件

STGWT40V60DF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGWT40V60DF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 配置

    Single 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.35 V

  • 栅极/发射极最大电压

    +/- 20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    80 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    250 nA

  • 功率耗散

    283 W

  • 最大工作温度

    + 175 C

  • 封装/箱体

    TO-3P

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
25+
N/A
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ST/意法
22+
TO-247
100000
代理渠道/只做原装/可含税
STM
22+
SMD
30000
只做原装正品
ST/意法半导体
24+
Si
10000
十年沉淀唯有原装
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ST/意法
2517+
8850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
ST
26+
SSOP20
86720
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百
ST/意法半导体
21+
Si
8860
原装现货,实单价优
ST/意法半导体
21+
Si
8860
只做原装,质量保证
ST/意法半导体
26+
Si
60000
只有原装 可配单

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