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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STGWT20H65FB | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed 文件:1.50257 Mbytes Page:20 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | ||
STGWT20H65FB | 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 650V 40A 168W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | ||
STGWT20H65FB | 650 V、20 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | ||
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed 文件:1.50257 Mbytes Page:20 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed 文件:1.50257 Mbytes Page:20 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
2022+ |
TO-3P |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
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ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST(意法) |
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TO3P |
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ST |
NA |
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TO-3P |
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ST/意法半导体 |
24+ |
原厂封装 |
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ST |
21+ |
TO-3P |
10000 |
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ST/意法 |
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TO-3P |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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ST |
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TO-3P |
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