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STGW50H65DFB2-4

Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package

Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A • Very fast and soft recovery co-packaged diode • Minimized tail current • Tight parameter distribution • Low thermal resistance • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Excellent switching

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW50H65DFB2-4

封装/外壳:TO-247-4 包装:管件 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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STGW50H65DFB2-4

Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package

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意法半导体

更新时间:2025-12-16 11:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25+
原厂原封装
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代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百
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ST系列在售,可接长单
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