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STGW30NC60WD_V01

30 A, 600 V ultra fast IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ High frequency operation ■ Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) ■ Very soft ultra fast recovery

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-3-5 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
2026+
原厂原封可拆
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